Tera-256太赫兹相机 THz成像相机 美国Terasense战略伙伴
详细信息
| | 品牌：美国Terasense | | 型号：Tera-256 / Tera-1024 / Tera- | | 类型：毫米分辨率太赫兹相机 | |
| | 测量范围：256 像素(16×16) | | 测量精度：像素尺寸 1.5×1.5mm | | 分辨率：NEP 1nW/Hz(1/2) | |
| | 尺寸：10cm×10cm×5.5cm mm | | 重量：可咨询 kg | | | |
TeraSense高响应度太赫兹相机 太赫兹成像相机THz camera
型号：Tera-256 / Tera-1024 / Tera-4096
毫米分辨率太赫兹相机，美国Terasense太赫兹相机，
Tera系列太赫兹探测器的基本原理
TeraSense的太赫兹探测器是在等离子体激元（Plasmonics）技术的基础上发展而来的。等离子体激元/表面等离子体是一个经过长期研究的基础学科方向，近几十年来，这一领域的研究大量涌现。 一个重要的推动力来自等离子体波的物理特性，亚波长尺度的电磁辐射受到限制。此外，人民已经可以在芯片上有效地操纵等离子体波。等离子体激元概念已经在光谱的光学部分中发现了大量的应用。 然而，*近在半导体AlGaAs / GaAs纳米结构的纯度方面取得了进展，使得从光谱光学区域到微波和太赫兹（THz）波段的等离激元概念变得可能。
不幸的是，标准的二维（2D）等离子体振子只有在频率ω> 1 /τ时才可观察到，其中动量松弛时间τ基本上随着温度的升高而降低。 因此，等离子体效应仅在足够大的频率和足够低的温度下才可见。 实际上，仅在低于80K的低温下观察到频率对f <500GHz的二维等离子体波。这一事实严重地阻碍了用于等离子体电子学的太赫兹应用的发展。
避免这种强加限制的一种方法是相对等离子体激发（relativistic plasma excitations）——一种在门控2D电子系统中发现的新型等离子体波。 这些弱阻尼的等离子体波在高电导率的2πσ> c电子系统中激发，具有强烈的极化特性，这种相对等离子体在微波和亚太赫兹频率范围内能够存活到室温。
在TeraSense探测器中，通过沉积在晶体表面上的宽带天线结构将太赫兹辐射转换成相对论等离子体波的交变电势。此外，由于等离子体波导的不对称性，等离子体波的交变电位被整流以产生测量的光响应信号。 可以选择检测器的几何形状以匹配特定的THz频带。
TeraSense太赫兹相机 太赫兹成像相机THz camera
型号：Tera-256 / Tera-1024 / Tera-4096
Terasense太赫兹相机探测器部分基于 GaAs 异质结高效的载流子迁移率，利用传统光刻蚀的方法制造。成像传感器制做在一个单独的晶圆上。 整个过程确保了等离子体探测器各项参数的稳定性和高的响应度（像素-像素之间的响应度偏离 20%之内）。
每个独立的探测单元在室温下的响应度高达 50KV/W，在 10GHz-1THz 之间的噪声等效功率为 1nW/Hz 1/2 。探测器的探测机制是基于在二维电子系统中入射太赫兹与等离子体振荡的转化过程。
Tera系列太赫兹探测器的生产（半导体产线）
Terasense成像芯片生产由几个主要工序组成。这些光刻步骤是在TeraSense半导体工厂的特殊洁净室条件下进行的。洁净室的等级由特定颗粒大小的每立方米颗粒的数量指定。 TeraSense设施在步行区域具有1000级（ISO 6）洁净室条件，在设备下具有100（ISO 5）条件。
对于砷化镓晶圆的图案化结构生产，维尔克斯光电代理的TeraSense拥有一条特殊的生产线。支持基础设施包括水净化系统，纯气体装置，光刻胶旋转器，湿台，UV曝光系统，金属沉积系统，检查显微镜，光刻胶灰化系统和离子蚀刻系统。为了实现和检查尺寸小于一微米的结构，TeraSense使用电子束光刻。电子束光刻使用精细聚焦的电子束来曝光抗蚀剂材料。
产品特点:
● 频率范围：50GHz-1.0THz ● 结构紧凑性价比高
● 高响应度：50KV/W ● 视频模式（50fps）
● NEP：1nW/Hz 1/2 ● 自带 Terasense Viewer 软件
● 室温操作 ● USB 5V 供电
● 1 年质保期
主要应用：
太赫兹成像 医疗诊断
安防监控 缺陷鉴定
油品质量控制
规格参数：
| 型号 |
Tera-256 |
Tera-1024 |
Linear Tera-1024 |
Tera-4096 |
| 像素 |
256 像素(16×16) |
1024 像素(32×32) |
1024 像素(256×4) |
4096 像素(64×64) |
| 像素尺寸 |
1.5×1.5mm |
1.5×1.5mm |
1.5×1.5mm |
1.5×1.5mm |
| 响应度 |
50KV/W |
50KV/W |
50KV/W |
50KV/W |
| NEP |
1nW/Hz(1/2) |
1nW/Hz(1/2) |
1nW/Hz(1/2) |
NEP： 1nW/Hz(1/2) |
| 设备尺寸 |
10cm×10cm×5.5cm |
10cm×10cm×5.5cm |
44cm×4.3cm×8.9cm |
16.5cm×16.5cm×4.5cm |
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