• Optomaga光折变晶体BSO晶体、Fe:LiNbO3晶体、SBN晶体、BGO晶体

    详细信息

     加工定制:否  品牌:Optomaga  型号:BSO晶体、Fe:LiNbO3晶体、SBN晶  
     外形尺寸:10x10毫米 mm 适用范围:空间光调制器 -光开关 -全息记录  装箱数:1  
     密度:4.64克/cm3  透明度范围:0.35-5.5μm  电光系数:r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r  
     介电常数:e11 = 85,e33 = 30  透明孔径:85 %   
    光折变效应是一种通过光强的空间变化来改变局部折射率的现象。在光折变材料中,当相干光相互干扰时观察到,光折变材料形成了空间变化的照明模式。这种效果可以用来存储临时的、可擦除的全息图,也称为全息数据存储。它也可以用来制造相位共轭镜或光学空间孤子。Optogama提供4Lasers品牌的BSO,Fe:LiNbO3、SBN和BGO晶体主要用于开发光折变效应的应用。
    硅酸铋(Bi)12SiO20,bso)晶体是一种高效率的光导材料,暗导率低,允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围:空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体,其孔径可达3英寸。
    铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe:LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能,是一种很有吸引力的光折变材料。Fe:LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长,尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是,Fe:Linbo3晶体操作方便,成本低,适合批量生产。
    SBN晶体晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的,被Ce,Cr,Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体,采用改进的Stepanov法生长,线性尺寸可达40 mm。
    锗酸铋(Bi12GeO20,BGO)晶体是具有低暗电导率的高效光电导体,可以积累大量光致空间电荷。
     
    硅酸铋晶体主要特点:
    -高电光系数(r41=5pm/v)
    -高相位共轭效率
    -可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
    -可根据要求定制
     
    BSO晶体主要应用:
           -空间光调制器
    -光开关
    -相位共轭混合器。
     
    BSO晶体的技术特性:
    化学公式 Bi12SiO20
    晶体结构 立方体,点编组23
    晶格参数 10.10 a
    密度 9.2克/cm3
    Mohs硬度 5
    透明度范围 0.45-6μm
    折射率 2.5
    光学活性 42deg/mm
    电光系数 r41 = 5 pm/V
    介电常数(低频) 56
    暗电阻 1014 Ohm cm
     
     
    BSO晶体的产品规格:
    透明孔径 85 %
    面尺寸公差 +0/-0.2毫米
    厚度公差 ±0.2毫米
    平行度误差 <30 arcsec
    保护槽 <0.3 mm at 45°
    表面质量 40-20 S-D
    波前畸变 <λ/4@6328 nm
    涂层 无涂层
     
    硅酸铋晶体产品型号
    SKU 面尺寸 厚度 定向 价格(RMB
    1558 30×30毫米 1.0毫米 [110] 5500
    6880 20x20毫米 1.0毫米 [110] 4500
    6881 20x20毫米 1.0毫米 [100] 4500
    6882 10x10毫米 5毫米 [110] 6500
    6883 10x10毫米 5毫米 [100] 6500
    6884 5x5毫米 5毫米 [110] 4800
    6885 5x5毫米 5毫米 [100] 4900
    9095 30×30毫米 1.5毫米 [110] 5600
     
    铌酸锂晶体主要特点:
    -高电光系数(r41=5pm/v)
    -高相位共轭效率
    -可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
    -可根据要求定制
    LiNbO3晶体的主要应用:
    -空间光调制器
    -光开关
    -全息记录
    -光波导
     
    LiNbO3晶体技术特性:
    化学公式 Fe:LiNbO3
    晶体结构 三角形,3m
    密度 4.64克/cm3
    Mohs硬度 5
    透明度范围 0.35-5.5μm
    折射率@0,63μm ne = 2.20, no = 2,29
    电光系数 r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V
    介电常数 e11 = 85,e33 = 30
     
    铌酸锂晶体产品规格:
    Fe2O3 0.1 mol. %,0.05 mol. %,0.03 mol. %,0.02 mol. %
    定向 90°切割(X-切割,Y-切割)
    透明孔径 85 %
    面尺寸公差 +0/-0.2毫米
    厚度公差 ±0.2毫米
    平行度误差 <3 arcmin
    保护槽 <0.3 mm at 45°
    表面质量 20-10 S-D
    波前畸变 <λ/4@6328 nm
    涂层 无,可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层
    电极 无,可根据要求提供
     
    铌酸锂晶体产品型号:
    SKU 面尺寸 长度 掺杂水平 价格(RMB
    4052 10x10毫米 5毫米 0,05%Fe2O3 请求
    6457 10x10毫米 5毫米 0,02%Fe2O3 请求
    6458 10x10毫米 5毫米 0,03%Fe2O3 请求
    7005 10x10毫米 5毫米 0,1%Fe2O3 请求
    7006 10x10毫米 1毫米 0,02%Fe2O3 4000
    7007 10x10毫米 1毫米 0,03%Fe2O3 4000
    7008 10x10毫米 1毫米 0,05%Fe2O3 4000
    7009 10x10毫米 1毫米 0,1%Fe2O3 4000
    7010 20x20毫米 1毫米 0,02%Fe2O3 请求
    7011 20x20毫米 1毫米 0,03%Fe2O3 请求
    7012 20x20毫米 1毫米 0,05%Fe2O3 请求
    7013 20x20毫米 1毫米 0,1%Fe2O3 请求
     
     
    SBN晶体的主要特点:
    -Ce,Cr,Co,Fe纯掺杂
    -有效相位共轭
    -定制尺寸,掺杂水平,无极化,减反射涂层和没有电极晶体可根据要求
     
    SBN晶体的主要应用:
    -光学信息记录
    -热释电探测器
    -自泵浦自共轭镜
    -光学相关器
     
    SBN晶体的技术特性:
    构图 SBN:61 SBN:75
    晶体结构 四边形,4毫米 四边形,4毫米
    晶格参数 a = 12,46 Å, c = 3,946 Å a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å
    密度 5,4 g/cm3 5,4 g/cm3
    Mohs硬度 5.5 5.5
    熔化温度 1480°C 1480°C
    居里温度 75°C 56
    透光度范围 0.45-5.5μm 0.4-5.5μm
    折射率@633 nm no = 2.3103,ne = 2.2817 no = 2.3117,ne = 2.2987
    Δn@633 nm -0.0286 -0.0130
    传动 0.45-5.5μm 0.4-5.5μm
    半波电压(λ/2) 240 V 60V
    介电常数(T=293 K) 900 340
    电光系数 R13=45 pm/V,R33=250 pm/V R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V
    热释电系数 0.065μC×cm-2×K-1 0.28μC×cm-2×K-1
    介电常数 880 3400
     
     
    SBN晶体的产品规格:
    定向 沿四方轴的短边
    波林 极化
    电极 碳水电极
    透明孔径 85%
    面尺寸公差 +0/-0.2毫米
    厚度公差 ±0.2毫米
    平行度误差 <30 arcsec
    保护槽 <0.1 mm at 45°
    表面质量 20-10 S-D通过透明光圈,60-40 S-D其他表面
    表面平整度 <λ/4@6328 nm
    涂层 无涂层
     
     
    SBN晶体的产品型号:
    SKU 材料 面尺寸 长度 掺杂 价格(RMB)
    6940 SBN:61 5x5毫米 5毫米 CeO 2 0,002 wt,% 15000
    6941 SBN:61 5x5毫米 10毫米 CeO 2 0,002 wt,% 18500
    6942 SBN:61 5x5毫米 15毫米 CeO 2 0,002 wt,% 24000
    6943 SBN:61 5x5毫米 20毫米 CeO 2 0,002 wt,% 30000
    6944 SBN:61 5x5毫米 5毫米 CeO 2 0,01 wt,% 15000
    6945 SBN:61 5x5毫米 10毫米 CeO 2 0,01 wt,% 18800
    6946 SBN:61 5x5毫米 15毫米 CeO 2 0,01 wt,% 22000
    6947 SBN:61 5x5毫米 20毫米 CeO 2 0,01 wt,% 30000
    6948 SBN:61 5x5毫米 5毫米 CeO 2 0,1 wt,% 15000
    6949 SBN:61 5x5毫米 10毫米 CeO 2 0,1 wt,% 18500
    6950 SBN:61 5x5毫米 15毫米 CeO 2 0,1 wt,% 24000
    6951 SBN:61 5x5毫米 20毫米 CeO 2 0,1 wt,% 30000
    73 SBN:61 5x5毫米 5毫米 未掺杂 15000
    74 SBN:61 5x5毫米 10毫米 未掺杂 18500
    75 SBN:61 5x5毫米 15毫米 未掺杂 24000
    76 SBN:61 5x5毫米 20毫米 未掺杂 30000
     
     
    BGO晶体的主要特点:
    -高电光系数(r41=3,5 pm/v)
    -低暗电导
    -大尺寸元件或晶片*多可达3
    -可根据要求定制
     
    BGO晶体的主要应用:
    -空间光调制器
    -光开关
    -光学相关器
     
    BGO晶体的技术特性:
    化学公式 Bi12GeO20
    晶体结构 立方体,点编组23
    晶格参数 10.15 a
    密度 9.2克/cm3
    传输范围 0.45-7
    折射率@0.63m 2,55
    光学活性@500 nm 41.5度/毫米
    电光系数r41 3.5 pm/V
    介电常数 40
    暗电阻 1014 Ohm cm
     
     
    BGO晶体的产品规格:
    透明孔径 85%
    面尺寸公差 +0/-0.2毫米
    厚度公差 ±0.2毫米
    平行度误差 <30 arcsec
    保护槽 <0.3 mm at 45°
    表面质量 40-20 S-D
    波前畸变 <λ/4@6328 nm
    涂层 无涂层
     
     
    BGO晶体的产品型号:
    SKU 面尺寸 长度 定向 价格(RMB)
    6868 5x5毫米 5毫米 [110] 5600
    6871 5x5毫米 5毫米 [100] 5600
    6872 10x10毫米 5毫米 [110] 8500
    6873 10x10毫米 5毫米 [100] 8500
    6874 20x20毫米 1毫米 [110] 5000
    6875 20x20毫米 1毫米 [100] 5000
    6876 30×30毫米 1毫米 [110],边与<001>平面±2deg平行 6000
    6877 30×30毫米 1,5毫米 [110] 6000
     
     
     
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