美国OptoDiode红蓝增强型光电二极管,硅红蓝探测器,TO-18

ODD-15W、ODD-15WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-5密封封装、优化的芯片尺寸以获得*大的信号、低电容。

在6.27mmx2.52mm测试条件下，活动区域的典型值是15.8mm²。在VR=10V测试条件下，暗电流的典型值是4nA，*大值是10nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下，反向击穿电压*小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下，电容的典型值是30pF。在VR=10V测试条件下，上升时间典型值为20纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为35欧姆，*大值是100欧姆。ODD-15W和ODD-15WB的特点一样，除了波长的灵敏度不一样，ODD-15W波长为632nm时灵敏度*小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-15WB波长是450nm, 灵敏度*小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

 

ODD-42W、ODD-42WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-8密封封装、优化的芯片尺寸以获得*大的信号、低电容。

在9.91mmx4.28mm测试条件下，活动区域的典型值是42mm²。在VR=10V测试条件下，暗电流的典型值是11nA，*大值是25nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下，反向击穿电压*小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下，电容的典型值是85pF。在VR=10V测试条件下，上升时间典型值为35纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为35欧姆，*大值是100欧姆。ODD-42W和ODD-42WB只有灵敏度不一样，ODD-42W波长为632nm时灵敏度*小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-42WB波长为450nm时灵敏度*小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL在25°时的光电特性

TO-5密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为2.52mm测试条件下，活动区域的典型值是5mm²。在VR=10V测试条件下，暗电流的典型值是1nA，*大值是3nA。在电阻的电流为IR=10µA测试条件下，反向击穿电压*小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下，电容的典型值是11pF。在VR=10V测试条件下，上升时间典型值为10纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为35欧姆，*大值是100欧姆。ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL的特点一样，除了灵敏度不一样，ODD-5W和ODD-5WISOL在632nm的波长下灵敏度*小值是0.35A/W，典型值是0.40 A/W，ODD-5WB和ODD-5WBISOL在450nm的波长下灵敏度*小值是0.2A/W，典型值是0.28 A/W。

 

ODD-1型号光电特性图

从电容与偏置电压图中可以看到电容与偏置电压成反比，电容随着偏置电压的增大而减小。从典型的光谱响应图中可以看到灵敏度随着波长增加而变大，当波长达到980nm左右，灵敏度达到*大值。当达到*大值后，灵敏度会随着波长增加而减小。从暗电流与电容关系图中，可以看到暗电流随着电压的增大而增加。想知道更多型号的光电特性图，可以联系我们。