LASER COMPONENTS砷化铟红外二极管探测器，波长900~3500nm

LASER COMPONENTS推出的IA35系列是一种基于异质结构设计、专为常温工况打造的高性能光电二极管。IA35系列属于InAs红外探测器,LC ，该系列旨在对LASER COMPONENTS广受欢迎的IG26系列扩频InGaAs光电二极管的光谱覆盖进行有力补充，共同构成更全面的LASER COMPONENTS 宽波段红外探测器解决方案。IA35系列红外探测器采用光伏工作原理，有源区域直径达500μm，例如型号IA35S500S4i就是此宽波段InAs光电二极管的代表产品。
InAs红外探测器,LC 的主要用于中红外波段的光电探测，相比于InGaAs型探测器，InAs红外探测器,LC 可在室温下工作并且具有拥有更大的并联阻抗与更长的截止波长。InAs宽波段红外探测器主要应用于非接触式温度测量、激光检测、分光光度计等领域。
    900~3500nm InAs光电二极管在常温下峰值响应波长为2.8μm，在900nm、2800nm、3200nm下响应度典型值为0.1、1.05和0.90A/W。LASER COMPONENTS的光电二极管采用了创新的异质结构设计，基于InAs衬底匹配优化，红外InAs光电探测器成为响应范围覆盖900~3500nm的宽波段InAs光电探测器。
    这款InAs红外光电探测器是高性价比的优质元件。相较于传统红外探测器制造商的InAs产品，InAs宽波段光电二极管在感光面积显著扩大四倍的同时，并联阻抗值实现双倍提升，这意味着更低的暗电流噪声，特别适合要求高灵敏度的应用场合。这些光电探测器设计合理，能提供良好的响应速度，满足大多数InAs红外光电探测器的实用需求。
总的来说，900~3500nm InAs光电二极管作为砷化铟InAs探测器和出色的InAs宽波段光电二极管，凭借其常温工作、大面积感光、高阻抗、宽光谱响应等特性，成为高性能、红外InAs光电探测器的理想选择之一。 InAs宽波段红外探测器主要应用：
-非接触式温度测量
-激光检测
-分光光度计
-气体成分分析


900~3500nm InAs探测器，LASER COMPONENTS的核心特性：
-InAs红外光电探测器峰值响应度：≥1.05 A/W
-峰值响应度80%下典型光谱范围：约900nm至约3500nm
-InAs宽波段光电二极管并联阻抗：典型值700Ω
-20%截止波长≥3.50μm
-卓越温度稳定性
-InAs光电二极管有源区域直径达500μm


InAs宽波段红外探测器常温25℃下InAs光学特性技术参数：
-a：批次抽检参数
-b：100%全测参数

型号编码	有效光束直径(μm)	20%截止波长a (μm)	峰值响应波长a(μm)	峰值响应度a(A/W)		900nm响应度a(A/W)		2800nm响应度a(A/W)		3200nm响应度a(A/W)
			典型值	*小值	典型值	*小值	典型值	*小值	典型值	*小值	典型值
IA35S500S4i	500	3.50	2.8	0.95	1.08	n.a.	0.1	0.95	1.05	n.a.	0.90

常温25℃下900~3500nm InAs探测器，LASER COMPONENTS光电特性技术参数：
-a：批次抽检参数
-b：100%全测参数

型号编码	有效光束直径(μm)	偏压10mV下并联阻抗b(Ohm)		偏压0.1V下暗电流b(mA)		D* 峰值a(cm Hz½/W)	NEP峰值a(W/ Hz½)	偏压0V下结电容a(pF)
		*小值	典型值	典型值	*大值	典型值	典型值	典型值
IA35S500S4i	500	450	700	0.15	1	1.0E10	6.0E-12	1000

900~3500nm InAs光电二极管绝对*大额定值参数：
    -*ANSI/ESD STM5.1-2007

参数项目	*小值	*大值
存储温度(°C)	-55	+80
工作温度(°C)	-40	+60
连续波反向偏压(V)	-	0.25
连续波正向电流(mA)	-	10
5秒焊接温度(°C)	-	260
ESD损伤阈值，HBM类型1A* (V)	0	<250

LASER COMPONENTS 宽波段红外探测器均中的IA35S500S4i为带蓝宝石窗口的TO-46封装。砷化铟InAs探测器的的带隙能量约为0.35eV。
作为LASER COMPONENTS宽波段红外探测器的核心组件，这款砷化铟InAs探测器凭借其出色的光电特性，充分展现了红外InAs光电探测器在高阻抗、低暗电流和优异噪声抑制方面的领先水平。这些量化数据不仅印证了其感光面积扩大和噪声降低的设计优势，还使其在严苛环境下工作温度-40~+60°C范围内保持稳定性能。