德国BATOP总代理 MCT-1064-90ps激光芯片
详细信息
| 品牌:德国BATOP | | 型号:MCT-1064-90ps | | 加工定制:是 | |
| 波段范围:近红外 | | 激光方式:电激励式 | | 工作物质:固体 | |
| 光路径:透过型外光路 | | 输出形式:光开关型 | | 传输信号:单电源型 | |
| 输出波长:1064nm mm | | 线宽:10-8 mm | | | |
BATOP公司在光纤激光、太赫兹、锁模元件等领域提供多种高性价比的、灵活的解决方案。已光强激光器为例,BATOP公司提供的光纤激光系统允许用户对激光输出参数进行调制,从而实现一套光纤激光装置获得不同效果的激光。
BATOP提供的1064nm激光微芯片由维尔克斯光电全权代理,具有反射式和透射式两种结构,能够方便的嵌入到各种精密应用的激光系统中。而BATOP的激光元件还包括了各种镜片和滤波器,比如宽带金反射镜、带通滤波器和长通滤波器。
BATOP公司PSFL1030 皮秒光纤激光系统
PSFL1030 ps光纤激光评估套件包含了980 nm泵浦激光二极管和激光二极管控制器,得到高光束质量的1030nm的皮秒光纤激光输出。
通常,进行光纤激光的实验时,除了PSFL1030光纤激光系统,还需要如下附件:
l 激光功率计,测量激光输出平均功率
l 快速光电二极管,跟踪激光输出信号的时间依赖性
l 200 MHz示波器,用于测量光电二极管的输出信号
l 可选配件:OSA(光谱分析仪),测量光谱强度
l 可选配件:自相关仪,用于脉宽测量
BATOP公司 PSFL1030 皮秒光纤激光系统的参数
脉宽:皮秒级
类型:被动锁模光纤激光器,
波长1030 nm,
~ 3 ps脉冲持续时间,
脉冲能量~ 50 PJ,
重复率50 - 100兆赫,
泵浦波长975 nm。
BATOP公司 1064nm激光芯片
激光芯片(MC,BATOP 1064nm激光微芯片)是由可饱和吸收体结合Nd:YVO4 激光晶体。如果使用波长为808 nm的被动调Q激光器泵浦,其就可以产生脉冲激光辐射的波长在1064 nm激光。
BATOP公司 1064nm激光芯片的优势是当脉冲能量保持不变,因此其重复频率和泵浦能量有关,随着泵浦能量的增加,1064nm芯片的重复频率也随着增加,而输出激光的脉宽和单脉冲能量都不变,***终激光输出是线性的。
BATOP公司 1064nm激光芯片的应用领域:
微加工
光探测和测距(LIDAR)
精密测量
频率转换
BATOP公司 1064nm激光芯片的型号和参数
维尔克斯光电代理的德国BATOP 1064nm激光芯片又称为激光微芯片和激光光源,可分为两大类:反射式和透射式。
1)MC反射模式1064nm激光芯片
Nd∶YVO4激光晶体与可饱和吸收镜结合(SAM)。
激光束和泵浦光的方向相反,必须使用一个二分镜将激光从泵浦光中分离。
输出的激光是线偏振光,偏振方向垂直于铜热沉槽。
2)MCT传输模式1064nm激光芯片
Nd∶YVO4激光晶体结合在可饱和吸收耦合输出镜(SOC)上。
激光输出光束与泵浦光束的方向相同,
激光输出为线偏振。
下面是BATOP公司 1064nm激光芯片的型号参数。
MC-1064-100ps |
反射模式微芯片 |
λ = 1064 nm, 脉宽~ 100 ps, |
脉冲能量 ~ 20 nJ, 重复频率 80 kHz - 700 kHz |
pump wavelength 808 nm |
MC-1064-240ps |
反射模式微芯片 |
λ = 1064 nm, 脉宽~ 240 ps, |
脉冲能量 ~ 30 nJ, 重复频率 50 kHz - 800 kHz |
pump wavelength 808 nm |
MCT-1064-90ps |
透射模式微芯片 |
λ = 1064 nm, 脉宽~ 90 ps, |
脉冲能量 ~ 100 nJ, 重复频率 20 kHz - 400 kHz |
pump wavelength 808 nm |
MCT-1064-220ps |
透射模式微芯片 |
λ = 1064 nm, 脉宽~ 220 ps, |
脉冲能量 ~ 160 nJ, 重复频率 20 kHz - 400 kHz |
pump wavelength 808 nm |
BATOP公司激光元件、激光组件
为了方便搭建完整的激光系统,BATOP公司还提供一系列的激光元件和组件,包括窄带通滤波器、长通滤波器和宽带金反射镜(broadband gold mirror)。
很多激光系统都需要尺寸很小的反射镜(几mm)或长通滤波器,可以在单晶GaAs衬底上使用,单晶GaAs具有良好的导热系数55 W/(m*K),可以切割成小的矩形芯片由于其立方晶体结构。
Au-M-4x4 |
Gold mirror on GaAs substrate |
area: 4.0 mm x 4.0 mm, 厚度 0.45 mm |
Au-M-2x2 |
Gold mirror on GaAs substrate |
area: 2.0 mm x 2.0 mm, 厚度 0.45 mm |
Au-M-1.3x1.3 |
Gold mirror on GaAs substrate |
area: 1.3 mm x 1.3 mm, 厚度 0.45 mm |
B-M-1030nm-4x4 |
Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate |
area: 4.0 mm x 4.0 mm, 厚度 0.45 mm |
B-M-1030nm-2x2 |
布拉格透镜 1030 nm on GaAs substrate |
area: 2.0 mm x 2.0 mm, 厚度 0.45 mm |
B-M-1030nm-1.3x1.3 |
布拉格透镜 1030 nm on GaAs substrate |
area: 1.3 mm x 1.3 mm, 厚度 0.45 mm |
LPF-900-5x5 |
Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate |
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm |
芯片面积: 5.0 mm x 5.0 mm, chip 厚度 0.625 mm |
LPF-900-4x4 |
Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate |
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm |
芯片面积: 4.0 mm x 4.0 mm, chip 厚度 0.625 mm |
LPF-900-2x2 |
Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate |
stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm |
芯片面积: 2.0 mm x 2.0 mm, chip 厚度 0.625 mm |