• 立陶宛Optogama全新进口AgGaSe2晶体,AgGaS2晶体,CdSe晶体

    详细信息

     品牌:立陶宛Optogama  型号:AgGaS2  加工定制:是  
    光学晶体的应用主要在非线性效应、光散射的工作与研究中,光学晶体在光学中充当介质材料。
    以下是产品的主要技术参数,产品可根据需求进行定制加工

    AgGaSe 2晶体主要应用:
           - 4.0~18.3μm红外区的频率混合
    -CO2激光器的二次谐波产生与上转换
    -效率达到10%的固体激光器的可调谐OPO
     
    AgGaSe 2晶体技术特性:
    化学公式 AgGaSe2
    晶体结构 四边形,42m
    晶格参数 A=5.9920,c=10.8803
    光学对称性 负单轴(NO>Ne,λ<804 nm Ne>NO)
    密度 5.7克/厘米3
    Mohs硬度 3-3.5
    透明度范围@“0”透过率水平 0.71-19μm
    Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) no2=6.8507+0.4297/(λ)2-0.1584)-0.00125λ2; ne2=6.6792+0.4598/(λ)2-0.2122)-0.00126λ2
    折射率@10.5μm no=2.5917,ne = 2.5585
    导热系数@T=293 K 1 (||c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1
    激光损伤阈值 >10兆瓦/cm2@10.6μm,150 ns
     
     
    硫镓银晶体主要特点:
    -传输范围为0.5到12μm的唯一非线性特性
    -低光吸收和低散射
    -短波长透光。
     
    AgGaS2晶体主要应用:
    -4.0~18.3μm中红外区的频率混合
    -CO的二次谐波产生与上转换2雷射
    -固体激光器的可调谐OPO
     
    AgGaS2晶体技术特性:
    化学公式 AgGaS2
    晶体结构 四边形,42m
    晶格参数 A=5.742,c=10.26
    光学对称性 负单轴(N)o>ne,λ<0,497μmne>no)
    密度 4.58克/厘米3
    Mohs硬度 3-3.5
    透明度范围@“0”透过率水平 0.47-13μm
    Sellmeier方程@0,54-12,9μm(λinμm) no2=5.79419+0.23114/(λ)2 – 0.06882) – 2.4534×10-3 λ2 + 3.1814×10-7 λ4 – 9.7051×10-9 λ6;
    ne2=5.54120+0.22041/(λ)2 – 0.09824) – 2.5240×10-3 λ2 + 3.6214×10-7 λ4 – 8.3605×10-9 λ6
    折射率@10.6321μm no=2.3471,ne = 2.2914
    导热系数@T=293 K 1.4(x{e76f}c)-1K-1,1.5(⊥c)Wm-1K-1
     
     
    硫镓银晶体产品规格:
    透光孔径 85%
    面尺寸公差 +0/-0.2毫米
    厚度公差 ±0.2毫米
    平行度误差 <30 arcsec
    保护槽 <0.2 mm at 45°
    表面质量 20-10 S-D
    波前畸变 <λ/4@6328 nm
    涂层 BBar/BBar@12.2-2.4μm/2.4-11μm
    激光损伤阈值 >350兆瓦/厘米2@1064 nm,10 ns
     
     
    CdSe晶体产品型号:
    SKU 面尺寸 长度 塞塔 PHI 应用 涂层
    7356 5x5毫米 1毫米 39° 45° DFG@1,2-2,4μm,I型 BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm,AOI=0°
    7395 8x8毫米 1毫米 39° 45° DFG@1,2-2,4μm,I型 BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm,AOI=0°
    7396 6x6毫米 2毫米 50° DFG@1,2-2,4μm,I型 BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm,AOI=0°
    7397 8x8毫米 2毫米 50° DFG@1,2-2,4μm,I型 BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm,AOI=0°
     
     
    CdSe晶体的主要特点:
    -宽透光度范围(0.7-24μm)
    -很大的非线性(d31 = 18 pm/V)
    -小离场角
     
    硒化镉晶体的主要应用:
    - DFG,OPO方案产生的长红外波长红外辐射
    -红外光学元件的材料:基板,偏振片,波片等。
     
    硒化镉晶体的技术特性:
    化学公式 CdSe
    晶体结构 六角,6毫米
    晶格参数 A=4.2985,c=7.0150
    光学对称性 正单轴(N)e>no)
    密度@288 K 5.81克/厘米3
    Mohs硬度 3.25
    透明度范围@“0”透过率水平 0.7-24μm
    Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) no2=4.2243+1.7680λ2/(λ)2-0.2270)+3.1200λ2/ (λ)2 - 3380);
    ne
    2
    =4.2009+1.8875λ2/(λ)2-0.2171)+3.6461λ2/ (λ)2 - 3629)
    折射率@10,0μm no=2.431,ne = 2.452
    导热系数@T=293 K 6.9(x{e76f}c)-1K-1.6,2(⊥c)Wm-1K-1
    激光损伤阈值 60兆瓦/厘米2@10.6μm,200 ns
     
  • 留言

    *详细需求:
    *手  机:
    联 系 人:
    电    话:
    E-mail:
    公  司:
    谷瀑服务条款》《隐私政策
主营产品:激光防护眼镜,衍射光学元件,显微镜载物台,太赫兹透镜,太阳能模拟器,光斑分析仪
深圳维尔克斯光电有限公司 电话:0755-84870203 手机:18926463275 地址: 龙岗区平湖华南城一号馆五楼C
内容声明:谷瀑为第三方平台及互联网信息服务提供者,谷瀑(含网站、客户端等)所展示的商品/服务的标题、价格、详情等信息内容系由店铺经营者发布,其真实性、准确性和合法性均由店铺经营者负责。谷瀑提醒您购买商品/服务前注意谨慎核实,如您对商品/服务的标题、价格、详情等任何信息有任何疑问的,请在购买前通过谷瀑与店铺经营者沟通确认;谷瀑上存在海量店铺,如您发现店铺内有任何违法/侵权信息,请在谷瀑首页底栏投诉通道进行投诉。