- 德国BATOP 可饱和吸收镜 SAM-980
详细信息
加工定制:否 品牌:BATOP 型号:SAM-980-15-500fs-x 材质:可饱和吸收体 外形尺寸:25 mm 适用范围:激光锁模 装箱数:1片起装
BATOP可饱和吸收镜家族系列的产品从可饱和吸收镜(SAM™),到SOC可饱和吸收耦合输出镜,RSAM共振可饱和吸收镜,SANOS可饱和噪声去除腔到用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。BATOP成熟掌握了多种精密薄膜生产技术,包括精密的低温分子束外延,介质溅射镀膜能力,晶圆加工和芯片安装等技术。从而为BATOP的产品性能和稳定性提供了坚实的保障。
可饱和吸收镜的基本原理(SAM)
可饱和吸收镜的结构可参照下图。可饱和吸收镜(SAM,SESAM)的基本结构包括两层反射镜和中间的半导体可饱和吸收体SA。通常情况下,SAM的基底为半导体反射镜,反射镜的上面是具有一定厚度的可饱和吸收体,再上面是一层反射层或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜。这样外侧的两个反射镜就形成了一个法布里-珀罗腔(FP cavity),通过设置不同的吸收体的厚度和反射率,就可以调节吸收体的调制深度和反射镜的带宽。
SAM可饱和吸收镜可作为超快激光器的锁模元件。其原理是利用半导体吸收的两个特征弛豫时间:带间跃迁 (interband transition) 弛豫时间和带内热平衡 (intraband thermalization) 弛豫时间。在SAM锁模过程中,响应时间较长的带间跃迁 (如载流子重组,几ps~几百ps) 提供了锁模的自启动机制,而响应时间很短的带内热平衡(100~200fs)可以有效压缩脉宽、维持锁模。
BATOP SAM可饱和吸收镜的产品类型和命名规则
至介绍SAM可饱和吸收镜的命名规则之前,先介绍一下分类方式,SAM可饱和吸收镜可以按照波长来进行分类,比如常见的980nm,1064nm,1550nm。
790 nm ... 830 nm:
910 nm ... 990 nm:
1020 nm ... 1150 nm:
1110 nm ... 1320 nm:
1320 nm ... 1460 nm:
1470 nm ... 1660 nm:
1900 nm ... 3200 nm:
其次,可饱合吸收镜有三种封装方式,分别是裸片,粘附在散热基座,和光纤尾端等方式。
接下来介绍BATOP公司可饱和吸收镜产品的命名方式,我们看到的BATOP产品名称如下:
SAM-1064-1-1ps-x
SAM-980-15-500fs-x
SAM表示产品分类,1064和980表示激光波长,1和15表示吸收率,1ps和500fs表示弛豫时间。-x表示封装形式,
-x封装形式又可参照以下解释
SAM-980-12-500fs-4.0-12.7s-c
SAM-980-12-500fs-4.0-25.4g-c
12.7和25.4表示透镜尺寸,s,g或w表示焊接、胶合还是焊接到水冷铜基底上。***后的-c, -e表示中心封装或者边缘封装,也可为FC后PC表示光纤耦合。
BATOP SAM可饱和吸收镜的规格型号
BATOP SAM可饱和吸收镜的型号参数如下:
SAM型号 关于SAM可饱吸收镜的描述 SAM-810-5-1ps-x SAM: λ = 810 nm, 吸收率 5 %, Δ R = 3 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-800-6-1ps-x SAM: λ = 800 nm, 吸收率率 6 %, Δ R = 3.5 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-810-6-1ps-x SAM: λ = 810 nm, 吸收率率 6 %, Δ R = 3.5 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-800-7-1ps-x SAM: λ = 800 nm, 吸收率率 7 %, Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-810-7-1ps-x SAM: λ = 810 nm, 吸收率率 7 %, Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-800-10-1ps-x SAM: λ = 800 nm, 吸收率率 10 %, Δ R = 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-810-10-1ps-x SAM: λ = 810 nm, 吸收率率 10 %, Δ R = 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-830-10-1ps-x SAM: λ = 830 nm, 吸收率率 10 %, Δ R = 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-940-4-1ps-x SAM: λ = 940 nm, 吸收率率 4 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-940-5-1ps-x SAM: λ = 940 nm, 吸收率率 5 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-940-6-1ps-x SAM: λ = 940 nm, 吸收率率 6 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-940-30-1ps-x SAM: λ = 940 nm, 吸收率率 30 %, 弛豫时间 ~ 1 ps SAM-980-2-1ps-x SAM: λ = 980 nm, 吸收率率 2 %, t ~ 1 ps SAM-980-3-1ps-x SAM: λ = 980 nm, 吸收率率 3 %, t ~ 1 ps SAM-980-4-1ps-x SAM: λ = 980 nm, 吸收率率 4 %, t ~ 1 ps SAM-980-12-500fs-x SAM: λ = 980 nm, 吸收率率 12 %, t ~ 500 fs SAM-980-15-500fs-x SAM: λ = 980 nm, 吸收率率 15 %, t ~ 500 fs SAM-980-50-500fs-x SAM: λ = 980 nm, 吸收率率 50 %, t ~ 500 fs SAM-980-70-500fs-x SAM: λ = 980 nm, 吸收率率 70 %, t ~ 500 fs SAM-1040-1-500fs-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 1 %, Δ R = 0.6 %, τ ~ 500 fs, SAM-1040-2-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 2 %, Δ R = 1.2 %, τ ~ 1 ps SAM-1040-2.5-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 2.5 %, Δ R = 1.4 %, τ ~ 1 ps SAM-1040-3-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 3 %, Δ R = 1.6 % SAM-1040-4-500fs-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 4 %, Δ R = 2.6 %, τ ~ 500 fs SAM-1040-5-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 5 %, Δ R = 3 %, τ ~ 1 ps, SAM-1040-7-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 7 %, Δ R = 4 % , τ ~ 1 ps SAM-1040-8-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 8 %, Δ R = 5 % , τ ~ 1 ps SAM-1040-10-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 10 %, Δ R = 6 %, τ ~ 1 ps SAM-1040-15-500fs-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 15 %, Δ R = 8 %, τ ~ 500 fs SAM-1040-27-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 27 %, Δ R = 11 %, τ ~ 1 ps SAM-1030-32-1ps-x SAM: λ = 1030 nm, 吸收率率 32 %, Δ R = 20 %, τ ~ 1 ps, 对于掺Yb锁模光纤激光 SAM-1040-40-500fs-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 40 %, Δ R = 24 %, τ ~ 500 fs SAM-1040-43-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 43 %, Δ R = 25 %, τ ~ 1 ps SAM-1030-48-500fs-x SAM: λ = 1030 nm, 吸收率率 48 %, Δ R = 28 %, τ ~ 500 fs, 对于掺Yb锁模光纤激光 SAM-1030-48-1ps-x SAM: λ = 1030 nm, 吸收率率 48 %, Δ R = 28 %, τ ~ 1 ps, 对于掺Yb锁模光纤激光 SAM-1030-50-1ps-x SAM: λ = 1030 nm, 吸收率率 50 %, Δ R = 35 %, τ ~ 1 ps, 对于掺Yb锁模光纤激光 SAM-1040-50-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 50 %, Δ R = 30 %, τ 1 ps SAM-1030-52-500fs-x SAM: λ = 1030 nm, 吸收率率 52 %, Δ R = 30 %, τ ~ 500 fs, 对于掺Yb锁模光纤激光 SAM-1040-54-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 54 %, Δ R = 32 %, τ ~ 1 ps SAM-1040-60-1ps-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 60 %, Δ R = 35 %, τ ~ 1 ps SAM-1040-64-700fs-x SAM: λ = 1040 nm, 吸收率率 64 %, Δ R = 38 %, τ = 700 fs passive heat sink 被动热沉 coupled SAM
SAM-1064-0.7-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 0.7 %, Δ R = 0.4 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-1-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 1 %, Δ R = 0.6 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-1.5-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 1.5 %, Δ R = 0.8 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-2-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 2 %, Δ R = 1.2 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-3-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 3 %, Δ R = 1.6 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-3.5-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 3.5 %, Δ R = 2 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-4-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 4 %, Δ R = 2.4 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-5-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 5 %, Δ R = 3 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-6-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 6 %, Δ R = 3.5 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-8-500fs-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 8 %, Δ R = 5 % SAM-1064-10-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 10 %, Δ R = 6 %, τ ~ 1 ps SAM-1064-13-500fs-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 13 %, Δ R = 8 % SAM-1064-18-500fs-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率率 18 %, Δ R = 10 %, τ ~ 500 fs, antiresonant multi quantum well structure, SAM-1064-23-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率 28 %, Δ R = 15 %, τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure, SAM-1064-26-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率 28 %, Δ R = 13 %, τ ~ 1 ps, resonant multi quantum well structure, SAM-1064-38-1ps-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率 38 %, Δ R = 23 %, τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure, SAM-1064-70-500fs-x SAM: λ = 1064 nm, 吸收率 70 %, Δ R = 40 %, τ ~ 500 fs SAM-1100-30-500fs-x SAM: λ = 1100 nm, 吸收率 30 %, Δ R = 20 %, t ~ 500 fs SAM-1100-50-500fs-x SAM: λ = 1100 nm, 吸收率 50 %, Δ R = 28 %, t ~ 500 fs SAM-1100-70-500fs-x SAM: λ = 1100 nm, 吸收率 70 %, Δ R = 40 %, t ~ 500 fs SAM-1100-90-500fs-x SAM: λ = 1100 nm, 吸收率 90 %, Δ R = 50 %, t ~ 500 fs SAM-1150-3-500fs-x SAM: λ = 1150 nm, 吸收率 3 %, Δ R = 1.9 %, t ~ 500 fs SAM-1150-4-500fs-x SAM: λ = 1150 nm, 吸收率 4 %, Δ R = 2.5 %, t ~ 500 fs SAM-1150-6-500fs-x SAM: λ = 1150 nm, 吸收率 6 %, Δ R = 3.8 %, t ~ 500 fs SAM-1150-32-1ps-x SAM: λ = 1150 nm, 吸收率 32 %, Δ R = 20 %, t ~ 1 ps
SAM-1300-4-10ps-x SAM: λ = 1240 ..1340 nm, 吸收率 4 %, Δ R = 2.5 %, t ~ 10 ps SAM-1300-7-10ps-x SAM: λ = 1220..1320 nm, 吸收率 7 %, Δ R = 4 %, t ~ 10 ps SAM-1300-8-10ps-x SAM: λ = 1240..1340 nm, 吸收率 8 %, Δ R = 5 %, t ~ 10 ps SAM-1300-10-10ps-x SAM: λ = 1220..1330 nm, 吸收率 10 %, Δ R = 6 %, t ~ 10 ps SAM-1300-12-10ps-x SAM: λ = 1240..1340 nm, 吸收率 12 %, Δ R = 7 %, t ~ 10 ps SAM-1340-1-1ps-x SAM: λ = 1310 ..1370 nm, 吸收率 1 %, D R = 0.6 %, t ~ 1 ps SAM-1340-2-1ps-x SAM: λ = 1310 ..1370 nm, 吸收率 2 %, D R = 1.2 %, t ~ 1 ps SAM-1340-3-1ps-x SAM: λ = 1310 ..1370 nm, 吸收率 3 %, D R = 1.6 %, t ~ 1 ps SAM-1340-7-1ps-x SAM: λ = 1300 ..1400 nm, 吸收率 7 %, D R = 4 %, t ~ 1 ps SAM-1340-15-1ps-x SAM: λ = 1260 ..1370 nm, 吸收率 15 %, D R = 8 %, t ~ 1 ps SAM-1420-1-10ps-x SAM: λ = 1420 nm, 吸收率 1 %, Δ R = 0.6 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1420-4-10ps-x SAM: λ = 1420 nm, 吸收率 4 %, Δ R = 2.5 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1510-4-10ps-x SAM: λ = 1510 nm, 吸收率 4 %, Δ R = 2.5 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1510-6-10ps-x SAM: λ = 1510 nm, 吸收率 6 %, Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1510-18-2ps-x SAM: λ = 1510 nm, 吸收率 18 %, Δ R = 11 %, 弛豫时间 2 ps SAM-1510-23-2ps-x SAM: λ = 1510 nm, 吸收率 23 %, Δ R = 14 %, 弛豫时间 2 ps SAM-1550-2-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 2 %, Δ R = 1.2 %, 弛豫时间 ~ 2ps SAM-1550-4-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 4 %, Δ R = 2.4 %, 弛豫时间 ~ 2ps SAM-1550-6-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 6 %, Δ R = 3.6 %, 弛豫时间 ~ 2ps SAM-1550-7-5ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 7 %, Δ R = 4 %, 弛豫时间 5 ps SAM-1550-8-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 8 %, Δ R = 5.5 %, 弛豫时间 ~ 2ps SAM-1550-10-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 10 %, Δ R = 6 %, 弛豫时间 2 ps SAM-1550-10-5ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 10 %, Δ R = 6 %, 弛豫时间 5 ps SAM-1550-12-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 12 %, Δ R = 7 %, 弛豫时间 2 ps SAM-1550-12-5ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 12 %, Δ R = 7 %, 弛豫时间 ~ 5 ps SAM-1550-14-5ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 14 %, Δ R = 8 %, 弛豫时间 5 ps SAM-1550-16-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 16 %, Δ R = 9 %, 弛豫时间 ~ 2 ps SAM-1550-17-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 17 %, Δ R = 10 %, 弛豫时间 2 ps SAM-1550-17-4ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 17 %, Δ R = 10 %, 弛豫时间 4 ps SAM-1550-20-4ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 20 %, Δ R = 12 %, 弛豫时间 4 ps SAM-1550-21-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 21 %, Δ R = 13 %, 弛豫时间 ~ 2 ps SAM-1550-25-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 25 %, Δ R = 15 %, 弛豫时间 2 ps SAM-1550-26-5ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 26 %, Δ R = 16 %, 弛豫时间 5 ps SAM-1550-32-4ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 32 %, Δ R = 20 %, 弛豫时间 4 ps SAM-1550-33-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 33 %, Δ R = 19 %, 弛豫时间 2 ps SAM-1550-37-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 37 %, Δ R = 22 %, 弛豫时间 ~ 2 ps SAM-1550-55-2ps-x SAM: λ = 1550 nm, 吸收率 55 %, Δ R = 36 %, 弛豫时间 ~ 2 ps SAM-1645-4-2ps-x SAM: λ = 1645 nm, 吸收率 4 %, Δ R = 2.4 %, 弛豫时间 ~ 2ps SAM-1645-32-2ps-x SAM: λ = 1645 nm, 吸收率 32 %, Δ R = 20 %, 弛豫时间 ~ 2ps SAM-1645-50-2ps-x SAM: λ = 1645 nm, 吸收率 50 %, Δ R = 30 %, 弛豫时间 ~ 2ps
SAM-2000-2-10ps-x SAM: λ = 1700 nm - 2150 nm, 吸收率 2 %, Δ R = 1.2 %, 弛豫时间 ~ 10 ps. This SAM can be only glued on a copper heat sink, but not soldered SAM-1920-2-30ps-x SAM: λ = 1920 nm, 吸收率 2 %, Δ R = 1.2 %, 弛豫时间 ~ 600 fs and ~ 34 ps SAM-1920-4-30ps-x SAM: λ = 1920 nm, 吸收率 4 %, Δ R = 2.6 %, 弛豫时间 ~ 600 fs and ~ 40 ps SAM-1920-7-10ps-x SAM: λ = 1920 nm, 吸收率 7 %, Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1920-8-10ps-x SAM: λ = 1920 nm, 吸收率 8 %, Δ R = 5 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1920-36-10ps-x SAM: λ = 1920 nm, 吸收率 36 %, Δ R = 20 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1960-5-10ps-x SAM: λ = 1960 nm, 吸收率 5 %, Δ R = 3 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1960-8-10ps-x SAM: λ = 1960 nm, 吸收率 8 %, Δ R = 5 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1960-13-10ps-x SAM: λ = 1960 nm, 吸收率 13 %, Δ R = 8 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1960-15-10ps-x SAM: λ = 1960 nm, 吸收率 15 %, Δ R = 8 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-1960-18-10ps-x SAM: λ = 1960 nm, 吸收率 18 %, ΔR = 10 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, for fiber laser mode-locking SAM-1960-30-10ps-x SAM: λ = 1960 nm, 吸收率 30 %, ΔR = 18 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant design for fiber laser mode-locking SAM-1960-54-10ps-x SAM: λ = 1960 nm, 吸收率 54 %, Δ R = 30 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, resonant design for fiber laser mode-locking SAM-2000-13-10ps-x SAM: λ = 2000 nm, 吸收率 13 %, Δ R = 8 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-2000-20-10ps-x SAM: λ = 2000 nm, 吸收率 20 %, Δ R = 12 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant resonant design for fiber laser mode-locking SAM-2000-30-10ps-x SAM: λ = 2000 nm, 吸收率 30 %, Δ R = 18 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant resonant design for fiber laser mode-locking SAM-2000-36-10ps-x SAM: λ = 2000 nm, 吸收率 36 %, Δ R = 20 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, resonant design for fiber laser mode-locking SAM-2000-43-10ps-x SAM: λ = 2000 nm, 吸收率 43 %, Δ R = 25 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, resonant design for fiber laser mode-locking SAM-2000-44-10ps-x SAM: λ = 2000 nm, 吸收率 44 %, Δ R = 19 %, 弛豫时间 ~ 10 ps, antiresonant resonant design for fiber laser mode-locking SAM-2150-8-10ps-x SAM: λ = 2150 nm, 吸收率 8 %, Δ R = 5 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-2400-1-10ps-x SAM: λ = 2400 nm, 吸收率 1 %, Δ R = 0.6 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-2400-1.5-10ps-x SAM: λ = 2400 nm, 吸收率 1.5 %, Δ R = 0.9 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-2900-9-10ps-x SAM: λ = 2900 nm, 吸收率 9 %, Δ R = 4 %, 弛豫时间 ~ 10 ps SAM-3000-33-10ps-x SAM: λ = 3000 nm, 吸收率 33 %, Δ R = 18 %, 弛豫时间 ~ 10 ps
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