Laser Components雪崩光电二极管，波长1100-1700nm

LASER COMPONENTS推出的InGaAs近红外雪崩光电探测器可探测1100纳米至1700纳米光谱范围。与锗APD相比，近红外雪崩光电二极管具有显著更优的噪声特性。相对于其有效面积，它们能提供更高的带宽，并且得益于其高达1700纳米的增强灵敏度而具有优势。
LC铟镓砷APD探测器具备IAG与IAL两种型号，IAG系列近红外雪崩光电探测器具有低噪声特性。IAG系列近红外雪崩光电探测器可在放大因子M=30下工作，传统APD在放大倍数约为M=10时，噪声就已非常强，以至于几乎无法实现有效的信号探测。特别是在环境光较弱的应用中，这些铟镓砷APD探测器可以在高放大倍数下运行，并显著提高其灵敏度。对于三维扫描仪和测距仪而言，可以实现相当大的测量范围。IAG系列雪崩光电二极管是市面上可获得的尺寸*大的LC近红外雪崩光电二极管，在1000至1630纳米波长范围内具有高响应度和极快的上升/下降时间。其在1550纳米处的峰值响应度非常适用于人眼安全测距应用、自由空间光通信、OTDR（光时域反射仪）以及高分辨率光学相干断层扫描。InGaAs近红外探测器芯片采用改良的TO-46封装进行气密封装。亦可提供表贴（SMD）和带尾纤的版本。IAG系列铟镓砷APD探测器提供有效区域直径分别为80μm、200μm或350μm的产品。而除了IAG以外在许多测距应用中，M=20的增益完全足够。在这些情况下，IAL系列的LC近红外雪崩光电二极管为IAG系列的高端探测器提供了一个高性价比的替代选择。它们设计用于800纳米至1700纳米之间的波长，并在几乎整个波长范围内实现70%的量子效率。
1100~1700nm InGaAs雪崩光电二极管系列特点：
-IAG具备80、200或350μm有效感光区域，IAL具备woo或500μm有效感光区域
-InGaAs近红外探测器高达2.5GHz的带宽
-在1000至1600纳米范围内量子效率（QE）超过70%
-低暗电流和低噪声
-改良型TO-46封装或陶瓷基座
-可提供光纤耦合版本

1100~1700nm InGaAs雪崩光电二极管系列应用：
-测距
-光通信系统
-光学相干断层扫描
-弱光检测

1100~1700nm铟镓砷APDs的IAG规格参数：
InGaAs近红外雪崩光电二极管通用特性（环境温度T=21°C）

参数项目	*小值	典型值	*大值
波长范围(nm)	1000		1630
峰值灵敏度(nm)		1550

InGaAs近红外雪崩光电二极管绝对*大额度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X

参数项目	*小值	典型值	*大值
储存温度(°C)	-60		125
工作温度(°C)			85
*大反向电流(mA)			1
*大正向电流(mA)			10
光输入(10ns脉冲)(kW/cm²)			200
光输入(平均)(dBm)			0/0/2
焊接温度(15秒内)(°C)			260

InGaAs近红外雪崩光电二极管电气特性（壳温Tc=25°C,波长λ=1550nm）

参数项目	IAG080X			IAG200X			IAG350X
	*小值	典型值	*大值	*小值	典型值	*大值	*小值	典型值	*大值
有效区域直径(μm)	78	80	82	200	205	210	350	352	355
响应度@M=1(A/W)	0.85	0.94	1.05	0.09	0.94	1.05	0.90	0.94	1.05
暗电流@M=10(nA)		-3	15		25	50		50	250
工作电压Vr@M=10(V)		60	70		55	65		45	60
击穿电压Vbr(Id=10μA)(V)	45	66	75	45	60	75	30	55	70
电容(pF)	0.32	0.35	0.40		1.7	2.1	35	4.1	4.6
Vbr温度系数(V/°C)		0.075			0.075			0.075
带宽@M=5(GHz)	2.0	2.5	3.0	0.5	1.0	1.5		0.6
带宽@M=10(GHz)	2.0	2.5	3.0	0.5	1.0	1.5		0.6
带宽@M=20(GHz)	1.5	2.2	2.5	0.5	0.8	1.2		0.6
超噪因子F@M=10		3.2	3.7		3.2	3.7		3.2	3.7
超噪因子F@M=20		5.5	6.0		5.5	6.0		5.5	6.0
NEP@M=10(pW/√Hz)		0.04	0.07		0.07	0.2		0.12

1100~1700nm铟镓砷APDs的IAL规格参数：
近红外InGaAs雪崩探测器通用特性（环境温度T=21°C）

参数项目	*小值	典型值	*大值
波长范围(nm)	800		1700
峰值灵敏度(nm)		1550

近红外InGaAs雪崩探测器绝对*大额度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X

参数项目	*小值	典型值	*大值
储存温度(°C)	-45		100
工作温度(°C)	-40		85
*大反向电流(mA)			5
*大正向电流(mA)			3
光输入(M=10;10ns;10kHz)(mW)			1
平均光输入(M=10;10ns;10kHz)(mW			2
焊接温度(10秒内)(°C)			260

近红外InGaAs雪崩探测器电气特性（壳温Tc=25°C,波长λ=1550nm）

参数项目	IAL200XX			IAL500XX
	*小值	典型值	*大值	*小值	典型值	*大值
有效直径(μm)		200			500
波长范围(nm)	800		1700	800		1700
峰值灵敏度(nm)		1550			1550
响应度@M=1(A/W)		0.9			0.9
暗电流@M=10(nA)		25	50		40	250
工作电压Vr@M=10(V)	36	51	56	37	52	57
击穿电压Vbr(Id=10μA)(V)	40	55	60	40	55	60
电容@M=10(pF)		2.4			5
Vbr温度系数(V/°C)		0.11	0.15		0.11	0.2
带宽@M=10;R=50Ω(GHz)		0.6		0.25	0.5
上升时间@M=10;R=50Ω(ps)		500			700
超噪因子F@M=10					6
NEP@M=10(pW/√Hz)				0.06		2